最近，国内江西、四川两地的氮化镓项目迎来新进展，涉及氮化镓外延、衬底方面。

4月26日，江西中科半导体官网发布了他们建设的“第三代半导体氮化镓材料产业化项目（一期）环评第二次公示”。

根据环评报告，该项目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，项目投资金额为 2 亿元，占地面积约50亩，将新建厂房及附属配套设施约3万平方米，建成后形成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓外延片材料。

(资料图片)

其中，6英寸硅衬底氮化镓外延片材料的规划年产能为 10000 片，8 英寸硅衬底氮化镓外延片材料的规划年产能为 5000 片。

公开资料显示，江西中科成立于2022年3月，是吉安中科的全资子公司。

除该项目外，吉安中科还在江西赣州建设了氮化镓项目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科建设的“氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。

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3月31日，雅安经济技术开发区管理委员会对外发布了“氮化镓生产基地项目环评第二次公示”。

根据环评报告，该氮化镓生产基地项目建设单位为雅安国镓芯科半导体科技有限公司，总投资金额为3000万元，厂房面积约1500平方米，计划购置两套高压釜及其他配套设备，建成两条单晶氮化镓生产线，以实现年产能单晶氮化镓衬底10000片以上。

公开资料显示，国镓芯科半导体成立于2022年6月，是国镓芯科（深圳）半导体的全资子公司，主营业务包括半导体器件专用设备制造、集成电路芯片及产品制造等。

2021年6月，航空工业川西机器与国镓芯科（深圳）半导体在四川雅安经开区举行了氮化镓联合实验室揭牌仪式，将建设生产线，以生产、加工、试验氮化镓材料。

据了解，国镓芯科（深圳）半导体的乔焜博士团队已经掌握了高品质GaN单晶衬底的量产关键技术——乔焜博士于2020年申请了一项专利《一种氮化镓单晶生长装置及生长方法》，可实现4英寸及以上氮化镓单晶的规模化生产，进而大大降低氮化镓单晶成本。

目前，国镓芯科已成功开发出全国产化的GaN多晶材料和生产设备，除正在建设的2英寸单晶GaN衬底量产线外，未来他们还将启动开发全世界最大规格的酸性氨热法GaN单晶生产装备。

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